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BSC018N04LS G /MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC018N04LS G的规格信息
BSC018N04LS G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:1.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:150 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:90 S

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.4 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:55 ns

典型接通延迟时间:13 ns

零件号别名:BSC018N04LSGATMA1 BSC18N4LSGXT SP000388293

单位重量:140 mg

供应商BSC018N04LS G
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深圳市威雅利发展有限公司BSC018N04LS G华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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现代芯城（深圳）科技有限公司BSC018N04LS Gwww.nowchip.com0755-27381274
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Mouser 贸泽电子		BSC018N04LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 31:¥11.752
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立创商城		BSC018N04LS GInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2V @ 85?A 漏源导通电阻：2.5mΩ @ 50A, 4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道1+:￥7.99
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